SPI Plasma Prep III特點：

• 主要應用
  • SEM 表面碳斑預防與清理
  • EDS分析中碳干擾的預防
  • 生物碳膜親水性處理
  • 蝕刻/灰化: (建議使用石英chamber)
    如利用O2 蝕刻鑽石, 高分子, 鐵氟龍。
    　利用CF4 蝕刻SiO2, Si3N4
    　利用SiF4 蝕刻Si
    　利用Ar 蝕刻金屬氧化物
    　利用BCl3 蝕刻Al
  
  
  • 主要特色
    • 可在1~100W 能量範圍操作
    • 穩定性佳
    • 內含數位真空計
    • 體積小不占空間(10.5" H X 14.75" W X 12" D)
    • 可顯示前向與反射向功率大小
    • 功率可調
    • Tuning 方向可調
    • Chamber 尺寸(四吋直徑/六吋深)
    • 電源110V 或220V
  
  
  • 搭配 TEM holder 型的電漿清理機， 請連結參考
    搭配混氣、流量控制及定時裝置者，請連結參考