型號:Plasma Prep III 規格:1~100W Solid state
技術文件:尚未上傳 廠商:SPI
SPI Plasma Prep III特點:
- 主要應用
- SEM 表面碳斑預防與清理
- EDS分析中碳干擾的預防
- 生物碳膜親水性處理
- 蝕刻/灰化: (建議使用石英chamber)
如利用O2 蝕刻鑽石, 高分子, 鐵氟龍。
利用CF4 蝕刻SiO2, Si3N4
利用SiF4 蝕刻Si
利用Ar 蝕刻金屬氧化物
利用BCl3 蝕刻Al
- 主要特色
- 可在1~100W 能量範圍操作
- 穩定性佳
- 內含數位真空計
- 體積小不占空間(10.5" H X 14.75" W X 12" D)
- 可顯示前向與反射向功率大小
- 功率可調
- Tuning 方向可調
- Chamber 尺寸(四吋直徑/六吋深)
- 電源110V 或220V
- 搭配 TEM holder 型的電漿清理機, 請連結參考
搭配混氣、流量控制及定時裝置者,請連結參考
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