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電漿處理/清理機




型號:Plasma Prep III
規格:1~100W Solid state
技術文件:尚未上傳
廠商:SPI

SPI Plasma Prep III特點:

  • 主要應用
    • SEM 表面碳斑預防與清理
    • EDS分析中碳干擾的預防
    • 生物碳膜親水性處理
    • 蝕刻/灰化: (建議使用石英chamber)
      如利用O2 蝕刻鑽石, 高分子, 鐵氟龍。
       利用CF4 蝕刻SiO2, Si3N4
       利用SiF4 蝕刻Si
       利用Ar 蝕刻金屬氧化物
       利用BCl3 蝕刻Al

    • 主要特色
      • 可在1~100W 能量範圍操作
      • 穩定性佳
      • 內含數位真空計
      • 體積小不占空間(10.5" H X 14.75" W X 12" D)
      • 可顯示前向與反射向功率大小
      • 功率可調
      • Tuning 方向可調
      • Chamber 尺寸(四吋直徑/六吋深)
      • 電源110V 或220V

    • 搭配 TEM holder 型的電漿清理機, 請連結參考
      搭配混氣、流量控制及定時裝置者,請連結參考



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